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光芯片行業(yè)加速向“高集成度+場景定制”迭代，核心技術(shù)聚焦硅光調(diào)制效率（帶寬≥67GHz）、CPO共封裝熱管理（功耗降50%）及車規(guī)級(jí)可靠性（85℃@5000小時(shí)）。挑戰(zhàn)在于III-V族材料外延缺陷率（>0.5/cm²）、高端光刻設(shè)備依賴（自給率<20%）及美日專利壁壘（80%核心專利被壟斷）；機(jī)遇源自“東數(shù)西算”推動(dòng)1.6T光模塊需求（年增60%）、汽車激光雷達(dá)芯片滲透（2026年單車搭載量達(dá)8顆）及量子通信探測效率突破（>25%）。未來需突破鈮酸鋰薄膜一致性（波長精度±0.03nm）、III-V族/硅基異質(zhì)集成及超低損耗波導(dǎo)（插損≤0.1dB/cm）。